消息称三星电子有望时隔 5 年再度大规模投资 NAND 闪存新产能

发布日期：2026-05-04 10:03    点击次数：132

　　 IT之家4月17日消息，韩媒the bell当地时间本月14日报道称，三星电子有望时隔5年向NAND闪存新产能大幅度投资，计划在平泽P5晶圆厂中建设一条NAND生产线。

　　三星电子自2022年投产的平泽P3后就没有在NAND方面进行重大投资，存储器业务的精力主要放在了DRAM端。当前NAND市场供显著小于求，推高了产品定价；且随着AI产业的发展，客户对高性能大容量SSD的需求还将进一步提升。

　　平泽P5是一座3层的大型晶圆厂，每层拥有2个洁净室，因此总共有6个阶段(PH)。三星电子考虑将P5的一个PH用于NAND制造；P5PH1则将服务于1c nm DRAM工艺。报道提到，三星电子还有意在P5附近再建设一座相同结构的6阶段大型晶圆厂。